[发明专利]离子生成方法以及离子源有效

专利信息
申请号: 201310375988.5 申请日: 2013-08-26
公开(公告)号: CN103681183B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 佐藤正辉 申请(专利权)人: 斯伊恩股份有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J27/02;H01J27/08;H01J37/317
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 胡建新,朴勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种离子生成方法以及离子源。所述离子生成方法为抑制自由基对构成离子源的电弧室的作用的技术。离子生成方法为利用具备由高熔点材料构成的电弧室的直流放电型离子源的离子生成方法,其包括离子产生工序,该工序使源气体的分子与热电子在电弧室内碰撞而引起等离子体放电,从而产生离子;以及反应工序,该工序使得在离子产生工序中产生的自由基与配置成覆盖电弧室内壁的至少一部分的衬套进行反应。衬套由比所述电弧室更容易与源气体分解时所产生的自由基反应的材料构成。
搜索关键词: 离子 生成 方法 以及 离子源
【主权项】:
一种离子生成方法,其为使用具备由高熔点材料构成的电弧室的直流放电型离子源的离子生成方法,其特征在于,包括:离子产生工序,该工序使源气体分子与热电子在所述电弧室内碰撞而引起等离子体放电,从而产生离子;以及反应工序,该工序使得在所述离子产生工序中产生的自由基与配置成覆盖电弧室内壁的至少一部分的衬套进行反应,所述衬套由比所述电弧室更容易与所述源气体分解时所产生的自由基反应的材料构成,所述衬套至少覆盖所述电弧室内壁中、形成有引出离子束的开口部的内壁的一部分,所述电弧室具有在所述开口部的周边部未被所述衬套覆盖的露出区域。
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