[发明专利]一种监测SRAM通孔开路的测试结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310376738.3 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104425293B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监测SRAM通孔开路的测试结构及其形成方法，该形成方法至少包括步骤步骤一，提供一衬底，在所述衬底中形成至少两个浅沟道隔离区；步骤二，于每个浅沟道隔离区上形成接触孔，所述接触孔的高度等于SRAM中接触孔的高度；步骤三，于所述每个接触孔上形成第一金属层；步骤四，于所述每个第一金属层的表面两端分别设置有一个通孔；步骤五，分别位于相邻的两个第一金属层上的两个通孔通过第二金属层连接，从而获得链式的测试结构。该测试结构可以准确地反映SRAM中通孔的工艺情况，实时监测SRAM中通孔是否出现开路，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 sram 开路 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于监测SRAM通孔开路的测试结构的形成方法，其特征在于，所述测试结构的形成方法至少包括：提供一衬底，在所述衬底中形成至少两个浅沟道隔离区，在相邻的浅沟道隔离区之间的衬底上形成多晶硅栅；于每个浅沟道隔离区上形成接触孔，所述接触孔的高度等于SRAM中接触孔的高度；于所述每个接触孔上形成第一金属层；于所述每个第一金属层的表面两端分别设置有一个通孔；分别位于相邻的两个第一金属层上的两个通孔通过第二金属层连接，从而获得链式的测试结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
