[发明专利]用于防范UTBB上的与接触有关的短接的方法无效
| 申请号： | 201310376748.7 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103715064A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;柳青;S·波诺斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 经过在衬底上的掩埋氧化物上面的有源硅层向衬底中并且经过有源硅层上的任何焊盘电介质蚀刻隔离沟槽。有源硅层的横向外延向隔离沟槽中形成突出物至至少约5纳米的横向距离，并且用电介质填充隔离沟槽的在突出物周围的部分。在有源硅层的包括电介质的部分上形成凸起源极／漏极区域。作为结果，在凸起源极／漏极区域的周围穿过的未对准接触在隔离沟槽中保持从衬底的侧壁间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防范 utbb 接触 有关 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成隔离沟槽；并且执行所述有源半导体层的横向外延生长以形成所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的突出物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
