[发明专利]一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅衬底、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂质离子区，所述栅电极还包括金属层，所述金属层位于所述栅介质层的下面。

主权项

一种新型碳化硅MOSFET器件的制作方法，其特征在于包括以下步骤：（1）提供一个碳化硅材料，所述碳化硅材料包括碳化硅衬底和在碳化硅衬底表面淀积形成的一层较薄的缓冲层以及位于缓冲层上的导电外延层；（2）在所述碳化硅材料的上表面涂覆光刻胶，光刻、刻蚀，注入第一类杂质离子形成第一类杂质离子区；（3）去除上述碳化硅材料上表面的光刻胶，再重新涂覆光刻胶，光刻、刻蚀，应用离子注入机在高温度下注入第一类杂质离子，并进行高温扩散，从而形成阱区；（4）重新涂覆光刻胶，在高温度下注入第二类杂质离子，形成第二类杂质离子区；（5）采用CVD工艺，在碳化硅材料的上表面上均匀生长第一层氧化物层，利用光刻胶作为掩蔽层，对该第一层氧化物层进行光刻和刻蚀，从而形成层间介质层；（6）去除上述碳化硅材料上表面上的光刻胶，并在碳化硅材料的上表面上生长栅氧化物；（7）在上述栅氧化层和绝缘介质层上进行接触孔的光刻和刻蚀，得到栅极和源极引线孔；（8）在碳化硅材料上表面淀积第一层金属层，通过对第一层金属层进行光刻和刻蚀得到源极；（9）在所述碳化硅材料的上表面淀积第二层金属层，所述第二层金属层覆盖上述的层间介质层和栅氧化物；（10）利用光刻胶作掩蔽层，选择性地刻蚀上述第二层金属层以及栅氧化物，从而形成栅电极。