[发明专利]一种区熔硅单晶的拉制方法无效
| 申请号： | 201310378948.6 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103436951A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 乔柳;张雪囡;张长旭;孙健;李立伟;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉华 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种区熔硅单晶的拉制方法，包括装炉、化料、引晶、细颈生长、放肩、等径生长、收尾、冷却、拆炉等过程，在对多晶硅进行加热前，向区熔炉内充入氩气和氮气的混合气体，其中氮气与氩气的体积比为0.05%-20%，收尾后停止充入氩气和氮气。本发明在有效防止高温下气体电离造成的线圈打火击穿的同时，降低了硅单晶的生产成本；氮原子可降低区熔硅单晶的缺陷密度，钉扎晶体中的位错移动，能够增加区熔硅单晶的机械强度，从而提高后续器件的性能；可以通过调整氩气的比例得到不同机械性能的硅单晶，有利于扩大硅单晶的应用范围及领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔硅单晶 拉制 方法 | ||
【主权项】：
一种区熔硅单晶的拉制方法，其特征在于：在对多晶硅进行加热前，向区熔炉内充入氩气和氮气的混合气体，其中氮气与氩气的体积比为0.05%‑20%，收尾后停止充入氩气和氮气。
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