[发明专利]可程式元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310378999.9 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425626B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周泽玮;杨庆忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可程式元件及其制造方法。一种可程式元件包括一基板，其具有一源极区域、一漏极区域、和邻近源极区域与漏极区域的一扩散区域；一通道连接源极区域与漏极区域；一浮置栅极，以一导电材料形成并位于基板上与通道对应；和一沟槽形成于基板的扩散区域处。其中，浮置栅极延伸至沟槽，导电材料覆盖沟槽的一侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 程式 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可程式元件，包括：基板，具有第一源极区域、第一漏极区域、和邻近该源极区域与该漏极区域的第一扩散区域；通道，连接该第一源极区域与该第一漏极区域；浮置栅极，以一导电材料形成，该浮置栅极位于该基板上并与该通道对应；轻掺杂漏极注入区域，位于该基板处并对应该第一扩散区域，其中该轻掺杂漏极注入区域包围该第一扩散区域，和第一沟槽，形成于该基板的该第一扩散区域处；其中，该浮置栅极延伸至该第一沟槽，该导电材料覆盖该第一沟槽的一侧壁。
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