[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管（IGBT），其衬底为N型，N型衬底背面设有P型区，P型区背面设有背面金属结构，终端结构内设有终端保护环，有源区的正面设有多晶硅栅，衬底上多晶硅栅的两侧设有侧墙，衬底上设有覆盖多晶硅栅和侧墙的层间介质，层间介质上覆盖有金属引线层，有源区的衬底内设有N型的载流子增强区，载流子增强区内设有P型体区，P型体区内设有N型重掺杂区，N型重掺杂区内设有P型重掺杂区，P型重掺杂区表面形成有向内凹陷浅坑，深度为0.15微米～0.3微米。本发明还公开了一种IGBT的制备方法。本发明通过设置载流子增强区，能够增加沟道的载流子浓度，降低导通压降。同时该浅坑能够使器件获得良好的杂质分布和更大的金属接触面积，提高了器件的性能。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管，包括外围的终端结构和被所述终端结构包围的有源区，所述绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底，所述N型衬底背面设有P型区，所述P型区背面设有背面金属结构，终端结构内设有终端保护环，有源区的所述衬底正面设有多晶硅栅，衬底上所述多晶硅栅的两侧设有侧墙，所述衬底上设有覆盖所述多晶硅栅和侧墙的层间介质，所述层间介质上覆盖有金属引线层，其特征在于，有源区的所述衬底内设有N型的载流子增强区，所述载流子增强区内设有P型体区，所述P型体区内设有N型重掺杂区，所述N型重掺杂区内设有P型重掺杂区，所述P型重掺杂区表面形成有向内凹陷的凹坑区域，所述凹坑区域形成于所述P型重掺杂区的区域内、从而使得凹坑区域位置处的P型重掺杂区表面低于凹坑区域两侧的P型重掺杂区表面，所述凹坑区域相对于两侧的衬底向内凹陷的深度为0.15微米～0.3微米。