[发明专利]氮化镓基发光二极管的制作方法及氮化镓基发光二极管在审
| 申请号： | 201310379719.6 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425662A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王强;王磊;李国琪;涂招莲;巩春梅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）的制作方法以及氮化镓基发光二极管，该方法包含，在衬底上依次形成N型氮化镓缓冲层，N型氮化镓层，多量子阱层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上沉积附加导电层；在附加导电层上沉积电流阻挡层并进行蚀刻；沉积导电层，然后进行图案化以形成N型氮化镓平台；沉积电极层和钝化层。本发明通过在电流阻挡层前先沉积附加导电层作为保护层，从而避免电流阻挡层形成时的反应功率和气体离子对P型氮化镓表面产生影响而造成的电压升高问题，并且能够保证电流阻挡层薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）的制作方法，包含，在衬底上依次形成N型氮化镓缓冲层，N型氮化镓层，多量子阱层以及P型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成附加导电层；在所述附加导电层上形成电流阻挡层并进行蚀刻；形成导电层，然后进行图案化以形成N型氮化镓平台；形成电极层和钝化层。
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