[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310379938.4 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425370B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 徐丁峰,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括S101在半导体衬底上形成包括伪栅极氧化层、伪栅极及栅极侧壁的前端器件，去除伪栅极氧化层和伪栅极；S102在栅极侧壁之间形成界面层和高k介电层；S103对位于拟形成P型高阈值电压晶体管和N型低阈值电压晶体管的区域的高k介电层进行氮化处理；S104对前端器件进行氮化后退火工艺；S105在高k介电层上形成金属栅极。该方法通过氮化处理工艺在N型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的高k介电层中引入氮元素，可有效实现对晶体管阈值电压的调节。本发明的半导体器件由于N型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的高k介电层掺杂有氮元素，具有良好的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成包括栅极侧壁以及位于所述栅极侧壁之间的伪栅极氧化层和伪栅极的前端器件，去除所述伪栅极和所述伪栅极氧化层；步骤S102：在所述栅极侧壁之间形成界面层和位于所述界面层之上的高k介电层，所述高k介电层为U型；步骤S103：对位于拟形成N型低阈值电压晶体管的区域的高k介电层和位于拟形成P型高阈值电压晶体管的区域的高k介电层进行氮化处理；步骤S104：对所述前端器件进行氮化后退火工艺；步骤S105：在所述高k介电层上形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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