[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310380138.4 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425440B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赵洪波;何作鹏;沈哲敏;戚德奎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法。其中，在所述半导体器件形成方法中，在形成覆盖上、下电极板后的隔离层后，在隔离层上方形成压力缓冲层，之后在于所述压力缓冲层上形成层间介质层。所述压力缓冲层可有效减小位于所述压力缓冲层上的层间介质层所施加于所述上、下电极板上的压力，从而有效避所述上、下电极板出现形变等损伤，以提高第一导电插塞和第二导电插塞与所述上、下电极板的连接强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成下电极板；在所述下电极板的部分区域上形成电介质层；在所述电介质层上形成上电极板；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述上电极板、电介质层和下电极板；在所述隔离层上形成至少一层压力缓冲层；在每一层压力缓冲层上均形成层间介质层；在所述上电极板上的层间介质层、压力缓冲层和隔离层内形成第一通孔，直至露出所述上电极板；在除所述部分区域外的下电极板上的层间介质层、压力缓冲层和隔离层内形成第二通孔，直至露出所述下电极板；在所述第一通孔内形成第一导电插塞，在所述第二通孔内形成第二导电插塞。
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