[发明专利]去除多晶硅中杂质硼的方法有效
| 申请号： | 201310380179.3 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104418326A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;李佳艳;游小刚;郭素霞;石爽;廖娇;秦世强 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人： | 高学刚 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于：所述的方法包括按照以下步骤进行：首先将需要去除杂质的多晶硅片进行电化学腐蚀处理，形成多孔硅片，然后将多孔硅片进行稳定化处理，经稳定化处理后的多孔硅片置于电子束熔炼炉的样品台上，设置真空腔室的真空度为2-5×10-2Pa，电子枪室的真空度为1-4×10-3Pa，在30KV的压力条件下以30mA的电子束流轰击多孔硅3min，电子束注入结束后，用NaOH溶液清洗多孔硅片，然后用去离子水清洗，直至去离子水呈中性，最终获得硼含量小于0.0001%的高纯多晶硅片。这是一种工艺稳定，周期短、效率高，节约能源，且可有效控制成本的去除多晶硅中杂质硼的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 多晶 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于：所述的方法包括按照以下步骤进行：首先将需要去除杂质的多晶硅片进行电化学腐蚀处理，形成多孔硅片，然后将多孔硅片进行稳定化处理，经稳定化处理后的多孔硅片置于电子束熔炼炉的样品台上，设置真空腔室的真空度为2‑5×10‑2Pa，电子枪室的真空度为1‑4×10‑3Pa，在30KV的压力条件下以30mA的电子束流轰击多孔硅3min，电子束注入结束后，用NaOH溶液清洗多孔硅片，然后用去离子水清洗，直至去离子水呈中性，最终获得硼含量小于0.0001%的高纯多晶硅片。
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