[发明专利]双镶嵌结构的形成方法

摘要

一种双镶嵌结构的形成方法，包括提供基底，在所述基底上形成有介质层；刻蚀所述介质层形成通孔和沟槽，所述沟槽位于所述通孔上，所述通孔与所述沟槽连通，所述通孔在垂直于介质层上表面的投影位于所述沟槽内；去除所述通孔和沟槽侧壁的凸部，所述凸部是在刻蚀介质层形成通孔和沟槽的过程中产生；在所述沟槽和通孔内填充导电层，所述通孔内的导电层作为插塞，所述沟槽内的导电层作为互连线。本技术方案形成的通孔和沟槽侧壁表面变得光滑，有效降低沟槽和通孔侧壁的线宽粗糙度，提高了介质层的TDDB和VBD性能。这极大降低了介质层出现击穿的几率，避免半导体器件间的信号出现串扰，使得半导体器件中的信号传递可靠、稳定。

主权项

一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有介质层；刻蚀所述介质层形成通孔和沟槽，所述沟槽位于所述通孔上，所述通孔与所述沟槽连通，所述通孔在垂直于介质层上表面的投影位于所述沟槽内；去除所述通孔和沟槽侧壁的凸部，所述凸部是在刻蚀介质层形成通孔和沟槽的过程中产生；在所述沟槽和通孔内填充导电层，所述通孔内的导电层作为插塞，所述沟槽内的导电层作为互连线；去除所述通孔和沟槽侧壁的凸部的方法为：使用含氟等离子体刻蚀通孔和沟槽侧壁；在使用含氟等离子体刻蚀通孔和沟槽侧壁过程中，偏置功率范围为0‑100W；所述介质层的材料为低K介电材料或超低K介电材料。