[发明专利]一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法无效
| 申请号： | 201310380245.7 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103426819A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张文广;傅昶;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属硬掩膜层及铜互连结构的制备方法，通过在一半导体衬底上多次交替进行一定厚度的金属硬掩膜层的沉积操作以及采用包含氮气的混合载气热退火氮化处理所述金属硬掩膜层的操作后形成预定厚度的金属硬掩膜层，这样周而复始几个循环达到预定厚度后结束。采用该方法能够有效改善金属硬掩膜层的平整度，不影响金属硬掩膜层电阻率均匀性，提高了金属硬掩膜层的品质，同时又充分释放和减小金属硬掩膜层的应力，从而降低其下层薄膜由于受到金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 硬掩膜层 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上多次交替进行一定厚度的金属硬掩膜层的沉积操作以及采用包含氮气的混合载气热退火氮化处理所述金属硬掩膜层的操作；经过多次金属硬掩膜层的沉积和热退火氮化处理后，金属硬掩膜层达到预定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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