[发明专利]一种复合型沟槽栅肖特基器件结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种复合型沟槽栅肖特基器件结构及其制造方法，包括：N型重掺杂的基片；N型轻掺杂的硅外延层，结合于所述N型重掺杂基片表面；至少两个沟槽，形成于所述硅外延层中；二氧化硅层，沉积于所述沟槽底部；第一金属硅化物层，形成于所述沟槽上部的侧壁；导电材料层，填充于所述沟槽上部；第二金属硅化物层，形成于所述硅外延层表面；以及正面电极层，形成于所述金属硅化物表面。本发明在沟槽底部采用厚栅氧化层MOS结构，沟槽侧壁采用高势垒肖特基结,这种复合型的沟槽栅能有效提高击穿电压、降低器件开关电容；采用复合型沟槽栅结构后，沟槽侧壁也成为肖特基结，在大电流下能进一步降低正向导通压降，并提高器件对浪涌冲击的耐受力。

主权项

一种复合型沟槽栅肖特基器件结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一N型重掺杂的基片，于所述基片表面形成N型轻掺杂的硅外延层；2）于所述硅外延层中形成至少两个沟槽，于所述沟槽表面形成热氧化层，并于所述沟槽内沉积二氧化硅层；3）去除沟槽上部的二氧化硅层，露出沟槽上部的侧壁；4）于沟槽上部的侧壁及所述二氧化硅层的表面沉积第一肖特基金属层，并采用热处理方法于所述沟槽上部的侧壁形成第一金属硅化物层，以在所述沟槽上部侧壁与所述硅外延层之间形成肖特基结；5）于沟槽上部内填充导电材料层，以在沟槽中形成MOS及肖特基复合型栅的肖特基单元漏电保护环结构；6）于所述硅外延层表面形成第二肖特基金属层，并采用热处理方法形成第二金属硅化物；7）于所述第二金属硅化物表面制作正面电极层。