[发明专利]中高压电子铝箔阳极氧化沉积锌或锡晶核的腐蚀预处理方法

摘要

一种中高压电子铝箔阳极氧化沉积锌或锡晶核的腐蚀预处理方法，将中高压电子铝箔在硫酸或磷酸或铬酸或草酸中进行阳极氧化处理，生成具有微孔的氧化膜；然后将阳极氧化处理后的中高压铝箔在溶入ZnO或SnO的碱性溶液中浸泡，使微孔氧化铝膜腐蚀减薄，微孔底部露出活性铝与锌酸根或锡酸根发生置换反应生成锌晶核或锡晶核。在铝箔腐蚀加工过程中，锌晶核或锡晶核可以引导铝箔发孔，降低并孔几率，Al2O3薄膜可以抑制铝箔的腐蚀减薄，提高中高压电子铝箔的比电容和抗折弯性能。

主权项

一种中高压电子铝箔阳极氧化沉积锌或锡晶核的腐蚀预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将中高压电子铝箔在硫酸溶液，或磷酸溶液，或铬酸溶液，或草酸溶液中进行阳极氧化处理，生成具有微孔的氧化膜；然后将阳极氧化处理后的中高压铝箔在溶入ZnO或SnO的碱性溶液中浸泡，使微孔氧化铝膜腐蚀减薄，微孔底部露出活性铝与锌酸根或锡酸根发生置换反应生成锌晶核或锡晶核，最后用去离子水将铝箔冲洗干净，所述硫酸阳极氧化处理条件为将铝箔置于温度为15～25℃，质量百分比为15～25%的硫酸溶液中，并施加电流密度为5～20mA cm‑2阳极电流进行阳极氧化10～60s；所述磷酸阳极氧化处理条件为将铝箔置于温度为20～25℃，质量百分比为10～15%的磷酸溶液中，并施加电流密度为5～20mA cm‑2阳极电流进行阳极氧化10～60s；所述铬酸阳极氧化处理条件为将铝箔置于温度为35±2℃，质量百分比为3.5～5%的铬酸溶液中，并施加电流密度为5～20mA cm‑2阳极电流进行阳极氧化10～60s；所述草酸阳极氧化处理条件为将铝箔置于温度为15～20℃，质量百分比为4～6%的草酸溶液中，并施加电流密度为5～25mA cm‑2阳极电流进行阳极氧化10～60s；所述将阳极氧化处理后的中高压铝箔在溶入ZnO或SnO的碱性溶液中浸泡的技术条件是：温度为30～50℃，含有质量百分比为1～10%NaOH，或KOH，或NaOH和KOH，并溶入质量百分比为0.01～1%ZnO或SnO的碱性溶液，浸泡时间为20～120s。