[发明专利]具有低导通电阻的金属氧化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310381677.X | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104143570B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低导通电阻的金属氧化物半导体装置及其制造方法，由一漂移区中的一掺杂浅漏极注入所定义的半导体装置，特别是一种延伸漏极金属氧化物半导体(ED‑MOS)装置。举例而言，一延伸漏极n通道金属氧化物半导体(ED‑NMOS)装置是由漂移区中的一n掺杂浅漏极(NDD)注入所定义。又此装置的特征为部分与一衬底隔开了一薄氧化物层而另一部分与衬底隔开了一厚/薄氧化物层的导电层。又提供一种具有一漂移区的一掺杂浅漏极注入的半导体装置(更特别是ED‑NMOS装置)的制造方法。又提供一种方法来制造部分配置横越过一薄氧化物层而另一部分横越过一厚/薄氧化物层的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 金属 氧化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一衬底；一阱，配置在该衬底中；一掺杂浅漏极注入，配置在横越过一漂移区的该阱中；以及一导电层，部分与该衬底隔开了一薄氧化物层而另一部分与该衬底隔开了一厚/薄氧化物层；其中，该半导体装置为一延伸漏极n通道金属氧化物半导体(ED‑NMOS)装置，该阱为一P阱(PW)，而该掺杂浅漏极注入为一n掺杂浅漏极(NDD)注入；该延伸漏极N通道金属氧化物半导体装置更包括一n型阈值电压调整(NVT)注入，该N型阈值电压调整注入被配置在最接近衬底的一表面的N掺杂浅漏极注入的至少一部分中。
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