[发明专利]氮化镓材料层表面粗化的方法有效
| 申请号： | 201310382220.0 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104425666B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 夏晓翔;刘哲;杨海方;李俊杰;顾长志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;郭海彬 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓材料层表面粗化的方法，包括：在所述氮化镓材料层的上表面形成一层掩膜，所述掩膜成形为在所述上表面分散分布的多个柱体；采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，利用刻蚀气体对所述上表面进行刻蚀；其中，在将所述掩膜完全刻蚀掉后再刻蚀预定时间，以在所述氮化镓材料层的所述上表面对应于所述多个柱体的位置处分别得到基本为六棱锥形状的凸起。本发明采用干式刻蚀法在氮化镓材料层表面粗化得到形状规则、分布均匀的六棱锥形状的凸起。其中，六棱锥形状的凸起的形状、尺寸和周期均为可控，方法简单，适用于增强GaN基LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 材料 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓材料层表面粗化的方法，包括：在所述氮化镓材料层的上表面形成一层掩膜，所述掩膜成形为在所述上表面分散分布的多个柱体，所述掩膜的各个柱体的横向尺寸为500～1000nm；采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，利用刻蚀气体对所述上表面进行刻蚀；其中，在将所述掩膜完全刻蚀掉后再刻蚀预定时间，以在所述氮化镓材料层的所述上表面对应于所述多个柱体的位置处分别得到基本为六棱锥形状的凸起；所述刻蚀气体为包含氯气和三氯化硼的混合气体或包含氯气和四氯化硅的混合气体；混合气体中的氯气与三氯化硼或四氯化硅的摩尔比均为1:1～10:1；所述氮化镓材料具有纤锌矿结构。
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