[发明专利]一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法，所述穿通型沟槽肖特基器件结构包括：N型重掺杂的硅片；N型轻掺杂的硅外延层，结合于所述N型重掺杂硅片表面；至少两个沟槽，至少贯穿所述硅外延层；二氧化硅层，形成于所述沟槽表面；导电材料层，填充于所述沟槽内；金属硅化物层，形成于所述硅外延层表面；以及正面电极层，形成于所述金属硅化物层表面。本发明利用硅外延层厚度的优势，制作出深度完全超过所述硅外延层厚度的沟槽，在不提高栅氧化层厚度的同时，提高了反向击穿能力，同时不会增加正向导通压降，有利于器件性能的优化。本发明与传统CMOS工艺兼容，适用于工业生产。

主权项

一种穿通型沟槽肖特基器件结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一N型重掺杂的硅片，于所述基片表面形成N型轻掺杂的硅外延层；2）形成至少贯穿所述硅外延层的至少两个沟槽；3）于所述沟槽的表面形成二氧化硅层；4）于所述沟槽内填充满导电层料层；5）于所述硅外延层表面形成肖特基金属层，并通过热处理工艺使所述肖特基金属层与所述硅外延层反应形成金属硅化物层；6）于所述金属硅化物层表面形成正面电极层。