[发明专利]晶圆切割方法有效
| 申请号： | 201310382461.5 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103441103A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陆建刚 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;陈军 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆切割方法，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；依次通过镭射切割工艺和机械切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在所述晶圆的正面侧形成多个切割道；在形成有所述切割道的晶圆的正面上贴附研磨胶膜；对贴附有研磨胶膜的晶圆进行背面研磨，以使所述切割道贯穿研磨后的晶圆，从而形成多个分离的芯片。与现有技术相比，本发明中的晶圆切割方法，由于采用了先依次镭射切割和机械切割，后研磨工艺，并且镭射切割不会产生切割应力，因此，本发明中的晶圆切割方法可以避免或改善晶圆因切割而产生的正面碎片及金属层间分层现象，尤其适用于切割低介电常数晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆切割方法，其特征在于，其包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；依次通过镭射切割工艺和机械切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，以在所述晶圆的正面侧形成多个切割道；在形成有所述切割道的晶圆的正面上贴附研磨胶膜；对贴附有研磨胶膜的晶圆进行背面研磨，以使所述切割道贯穿研磨后的晶圆，从而形成多个分离的芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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