[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底第一区域上具有第一鳍部，第二区域上具有若干分立的第二鳍部以及位于第一鳍部和第二鳍部顶部的第一图形化掩膜层；在半导体衬底表面形成表面与第一图形化掩膜层的表面齐平的介质层；在介质层表面形成第二图形化掩膜层，第二图形化掩膜层覆盖第一区域和第二区域连接处的相邻的第一鳍部和第二鳍部之间的部分介质层表面；刻蚀部分介质层，在介质层内形成凹槽；在所述凹槽内形成栅介质材料层和栅极材料层；形成位于第一区域上横跨所述第一鳍部的第一栅极和位于第二区域上横跨所述第二鳍部的第二栅极。所述方法可以减少形成第一栅极和第二栅极所需要的刻蚀次数，降低工艺成本和刻蚀误差。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第一区域上具有若干分立的第一鳍部，第二区域上具有若干分立的第二鳍部，以及位于所述第一鳍部和第二鳍部顶部的第一图形化掩膜层；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与第一图形化掩膜层的表面齐平；在所述介质层表面形成第二图形化掩膜层，所述第二图形化掩膜层覆盖第一区域和第二区域连接处的相邻的第一鳍部和第二鳍部之间的部分介质层表面；以所述第二图形化掩膜层为掩膜刻蚀部分介质层，在所述介质层内形成凹槽；在所述凹槽内壁表面形成栅介质材料层和位于栅介质材料层表面且填充满所述凹槽并覆盖第二图形化掩膜层的栅极材料层；对所述栅极材料层进行处理，形成位于第一区域上横跨所述第一鳍部的第一栅极和位于第二区域上横跨所述第二鳍部的第二栅极，所述第一栅极和第二栅极之间通过第二图形化掩膜层和位于所述第二图形化掩膜层下方的介质层隔离。