[发明专利]用以增强阳极键合蒸气室中的压力均匀性的制造技术在审
| 申请号： | 201310383281.9 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103792838A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | D.W.杨格纳;J.A.里德莱;S.T.鲁 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G04F5/14 | 分类号： | G04F5/14;H01S5/022 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李涛;谭祐祥 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用以增强阳极键合蒸气室中的压力均匀性的制造技术。一种制造一个或多个蒸气室的方法，所述方法包括：在具有第一直径的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯；和在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧，所述第二晶片具有第二直径。将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面，所述第三晶片具有第三直径。将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上，所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径。在所述牺牲性晶片之上设置金属化键合板。在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时，将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 增强 阳极 蒸气 中的 压力 均匀 制造 技术 | ||
【主权项】：
一种制造一个或多个蒸气室的方法，所述方法包括：在具有内表面区域和周缘的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯，所述第一晶片具有第一直径；在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧，所述第二晶片具有第二直径；将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面，所述第三晶片具有第三直径；将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上，所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径；将金属化键合板置于所述牺牲性晶片之上；和在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时，将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。
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