[发明专利]低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310383588.9 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN103560193A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 王光绪;刘军林;江风益 申请(专利权)人: 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/00
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 张文
地址: 330047 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法,其结构包括:基板层,生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上;基板层与外延层之间,由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层;N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠层构成的稀释保护层和阻挡保护层,克服了低成本、低熔点金属作为黏结层材料存在的抗腐蚀能力差、扩散能力强等易破坏发光二极管结构及光电性能等问题,从而可代替贵金属作为热压黏合材料,一方面极大减低了垂直式发光二极管的制备成本,另一方面较低的热压温度及压力,减小热压自身的残余应力,使器件的光电性能和可靠性得到提高。本发明主要用于半导体发光器件上。
搜索关键词: 低成本 垂直 结构 发光二极管 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种低成本的垂直结构发光二极管芯片,包括:基板层,基板层由依次从下至上的基板反面接触层、基板应力调制层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面阻挡保护层和基板正面稀释保护层构成,其特征在于:在基板的上面依次设有黏结层、p面保护层、p面欧姆接触金属层和外延层,p面保护层由依次从下至上的p面稀释保护层和p面阻挡保护层构成,外延层由依次从下至上的p型半导体层、发光活性层、n型半导体层和缓冲层构成,n电极位于n型半导体层之上。
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