[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310384734.X | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103487743A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/303 | 分类号： | G01R31/303 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。半导体装置（100）包括：半导体衬底，其包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，其被设置在半导体衬底的半导体芯片形成区之内；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收电感器；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收焊盘；功率接收电感器，其具有沿着耦合到芯片内部电路的半导体衬底的外部边缘设置的直径；耦合到芯片内部电路的功率接收焊盘，功率接收电感器围绕芯片内部电路、信号发送/接收电感器、信号发送/接收焊盘和功率接收焊盘，并且，信号发送/接收电感器之一和信号发送/接收焊盘之一并联耦合到芯片内部电路，并且功率接收电感器和功率接收焊盘并联耦合到芯片内部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，所述芯片内部电路被设置在所述半导体衬底的所述半导体芯片形成区之内；耦合到所述芯片内部电路的多个信号发送/接收电感器；耦合到所述芯片内部电路的多个信号发送/接收焊盘；功率接收电感器，所述功率接收电感器具有沿着耦合到所述芯片内部电路的所述半导体衬底的外部边缘设置的直径；耦合到所述芯片内部电路的功率接收焊盘，并且其中，所述功率接收电感器围绕所述芯片内部电路、所述信号发送/接收电感器、所述信号发送/接收焊盘和所述功率接收焊盘，并且其中，所述信号发送/接收电感器之一和所述信号发送/接收焊盘之一并联耦合到所述芯片内部电路，并且所述功率接收电感器和所述功率接收焊盘并联耦合到所述芯片内部电路。
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