[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了实现高度集成采用TSV技术的半导体器件的技术。贯通电极由具有第一直径并且形成在半导体晶片的主表面上的小直径贯通电极和具有比上述第一直径大的第二直径并且形成在半导体晶片的背表面侧上的大直径贯通电极构成，并且在平面图中，小直径贯通电极布置在大直径贯通电极的内部，使得在平面图中，小直径贯通电极的中心位置和大直径贯通电极的中心位置彼此不重合。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一区域，在所述第一区域已经形成有从半导体衬底的第一主表面贯穿到在所述第一主表面的相反侧上的第二主表面的多个贯通电极；以及第二区域，在所述第二区域，在所述半导体衬底的所述第一主表面上已经形成有多个半导体元件，其中所述多个贯通电极中的每个由以下构成：第一贯通电极，所述第一贯通电极具有第一直径，并且形成在所述半导体衬底的所述第一主表面侧上；以及第二贯通电极，所述第二贯通电极具有比所述第一直径大的第二直径，并且形成在所述半导体衬底的所述第二主表面侧上，其中在所述多个贯通电极中的每个中，在平面图中，所述第一贯通电极位于所述第二贯通电极的内部，并且在平面图中，所述第一贯通电极的中心位置离开所述第二贯通电极的中心位置，其中在平面图中，在所述第一区域中的所述多个贯通电极分别以相同的节距布置，并且其中在平面图中，位于所述第一区域的最外侧的、所述多个贯通电极当中的最外侧贯通电极的所述第一贯通电极的所述中心位置被布置在离开所述第一区域的外围的方向上。