[发明专利]高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有HfO2薄膜材料的制备工艺采用掺杂或加温的方式制作，不能完全生成非晶薄膜的问题，提供了一种高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法，其技术方案可概括为：首先将表面清洁后且去除表面自然氧化层的硅基片放入真空室基底，然后将表面打磨清洁处理后的金属铪靶作为靶材放入真空室靶位，关闭靶材挡板，利用高真空多功能射频溅射镀膜设备，对真空室抽真空，对基片进行反溅清洁，反溅清洁后打开并调整射频电源及其功率，进行预溅射，最后调整氩气通量，通入氧气，打开靶材挡板正式进行二氧化铪薄膜的溅射，形成二氧化铪非晶薄膜。本发明的有益效果是，不会造成二氧化铪薄膜晶化，适用于二氧化铪非晶薄膜的制备。

主权项

高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对硅基片进行表面清洁处理，并去除硅基片表面的自然氧化层，放入真空室基底；步骤2、对金属铪靶进行表面打磨清洁处理，作为靶材放入真空室靶位，靶位与基底相对应并具有一定垂直距离，且将靶材挡板关闭，所述靶材挡板设置在靶位上，且位于靶材与基底之间靠近靶材的位置；步骤3、利用高真空多功能射频溅射镀膜设备，对真空室进行抽真空；步骤4、通入适量氩气并打开偏压装置对基片进行反溅清洁，反溅清洁一定时间后关闭偏压设备，打开射频电源并调整射频电源功率；步骤5、进行预溅射，对靶材进行表面清洁；步骤6、调整氩气通量，通入氧气，打开靶材挡板正式进行二氧化铪薄膜的溅射，经过沉积形成二氧化铪非晶薄膜。