[发明专利]检测光阻层离子注入阻挡能力的方法有效
| 申请号： | 201310385397.6 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103441086A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 田慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，该检测光阻层离子注入阻挡能力的方法包括：在基板上形成光阻层；测量该基板任意位置上光阻层的第一厚度，该第一厚度为该光阻层的厚度；在该光阻层上注入预设量的离子；测量该任意位置上光阻层的第二厚度，该第二厚度为该光阻层中硬化部分的厚度；根据该第二厚度判断该第一厚度的光阻层的离子注入阻挡能力。本发明在检测光阻层离子注入阻挡能力的过程中不需要使用测试硅片，从而能够减少检测过程所需的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 光阻层 离子 注入 阻挡 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，其特征在于，包括：在基板上形成光阻层；测量所述基板任意位置上光阻层的第一厚度，所述第一厚度为所述光阻层的厚度；在所述光阻层上注入预设量的离子；测量所述任意位置上光阻层的第二厚度，所述第二厚度为所述光阻层中硬化部分的厚度；根据所述第二厚度判断所述第一厚度的光阻层的离子注入阻挡能力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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