[发明专利]应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201310385577.4 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103426931A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 罗谦;刘斌;王向展;于奇;严慧 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有将应变硅沟道技术引入FINFET的方法中，应变方向与界面平行且制作相对复杂的问题，提供了一种应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法，其技术方案可概括为：应变沟道鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底、鳍状结构、栅氧化层、钝化层、栅极、源区、漏区及两个槽型结构，还包括填充在两个槽型结构中的能够挤压鳍状结构侧壁的应变绝缘材料。本发明的有益效果是，提升器件的性能，且结构简单，适用于应变沟道鳍式场效晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
应变沟道鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底、鳍状结构、栅氧化层、钝化层、栅极、源区、漏区及两个槽型结构，其特征在于，还包括填充在两个槽型结构中的能够挤压鳍状结构侧壁的应变绝缘材料。
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