[发明专利]COMS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种COMS图像传感器及其制作方法，其中，所述制作方法包括：在半导体衬底表面形成第一掺杂区；依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区；沉积介质层，通过曝光与刻蚀工艺形成侧墙；在所述半导体衬底表面形成第三掺杂区；去除半导体衬底表面的介质层；在所述第一掺杂区中形成第四掺杂区。本发明通过在刻蚀形成栅极侧墙，去除光刻胶之后即进行离子注入在半导体衬底表面形成第三掺杂区，然后再去除半导体衬底表面的介质层，防止次离子注入对感光二极管表面的半导体衬底造成损伤，从而避免因半导体损伤造成的COMS图像传感器白点，提高COMS图像传感器的质量。

主权项

一种COMS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；进行第一离子注入在所述半导体衬底表面形成第一掺杂区；在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅，构成传输晶体管，所述第一掺杂区位于栅极多晶硅一侧；进行第二离子注入在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述栅极多晶硅的另一侧，与第一掺杂区的掺杂类型相反；在所述半导体衬底上沉积一层介质层，以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述介质层，然后去除图案化的光刻胶层，形成栅极侧墙；进行第三离子注入在所述半导体衬底表面形成第三掺杂区，其位于所述第二掺杂区的上方，与第二掺杂区掺杂类型相反，所述第二掺杂区与第三掺杂区构成感光二极管；去除半导体衬底表面的介质层；对所述第一掺杂区进行第四次离子注入，在所述第一掺杂区中形成第四掺杂区，所述第四掺杂区与所述第一掺杂区的掺杂类型相反，所述浮置扩散区包括所述第一掺杂区和所述第四掺杂区。