[发明专利]晶圆级气密性的测试结构及测试方法

摘要

本发明提供一种晶圆级气密性的测试结构及测试方法，方法包括：键合第一、第二晶片，第一晶片中有多个第一类空腔和一第二类空腔；第二类空腔上的第二晶片有凹槽；包围第一类空腔、第二类空腔的第二晶片和凹槽上均有第一金属；第一类空腔上的第二晶片中有MEMS装置；提供有多个第三类空腔和一第四类空腔的第三晶片，包围第三类空腔、第四类空腔的第三晶片和第四类空腔顶部均有第二金属；第二晶片上的第一金属与第三晶片上的第二金属键合形成多个MEMS器件和一测试结构，第四类空腔中的气压小于第二类空腔中的气压，本发明通过测试结构中的电容变化反映MEMS器件的密封性，无需将每个MEMS器件从晶片切割下来进行密封性测试，此法操作简单、效率高、成本低。

主权项

一种晶圆级气密性的测试方法，其特征在于，包括：提供键合的第一晶片和第二晶片，所述第一晶片中形成有多个第一类空腔和一具有第一气压的第二类空腔，多个所述第一类空腔分布在所述第二类空腔的周围；在所述第二类空腔上的第二晶片中形成一凹槽；在包围每一所述第一类空腔和包围所述第二类空腔的第二晶片上以及在所述凹槽的表面均形成第一金属，其中，所述凹槽上形成的第一金属与包围所述第二类空腔而形成在第二晶片上的第一金属相连；在每一所述第一类空腔上的第二晶片中形成一MEMS装置；提供一第三晶片，所述第三晶片中形成有多个第三类空腔和一第四类空腔，多个所述第三类空腔分布在第四类空腔的周围，在包围每一所述第三类空腔和包围所述第四类空腔的第三晶片上以及在所述第四类空腔的顶部形成第二金属；所述第三晶片与第二晶片键合，通过包围每一所述第一类空腔而形成在第二晶片上的第一金属与包围每一所述第三类空腔而形成在第三晶片上的第二金属键合形成每一MEMS器件，通过包围所述第二类空腔而形成在第二晶片上的第一金属与包围所述第四类空腔而形成在第三晶片上的第二金属键合形成一测试结构，其中，所述第四类空腔具有的第二气压小于第一气压；反复检测所述测试结构中的第四类空腔顶部的第二金属与凹槽上的第一金属间的电容，以评估MEMS器件的密封性能。