[发明专利]在半导体结构中形成材料层的方法有效
| 申请号： | 201310386403.X | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681351A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | C·格拉斯;M·特伦茨施;B·巴哈;P·科罗顿泰勒 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体结构中形成材料层的方法，本发明的一种方法包括在半导体结构上沉积第一材料层的第一部分；执行后处理制程的第一轮以至少将该第一材料层的该第一部分改性；在该后处理制程的该第一轮后，沉积该第一材料层的第二部分，而该第二部分由与该第一部分基本相同的材料构成；以及在该第一材料层的该第二部分的该沉积后，执行该后处理制程的第二轮以至少将该第一材料层的该第二部分改性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体结构中形成材料层方法，包括：在半导体结构上沉积第一材料层的第一部分；执行后处理制程的第一轮以至少将该第一材料层的该第一部分改性；在该后处理制程的该第一轮后，沉积该第一材料层的第二部分，而该第二部分由与该第一部分基本相同的材料构成；以及在该第一材料层的该第二部分的该沉积后，执行该后处理制程的第二轮以至少将该第一材料层的该第二部分改性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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