[发明专利]InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法

摘要

本发明公开了一种InSb/GaSb量子点材料结构器件，该结构器件包括：用子支撑整个两点材料结构的GaSb衬底(101)；在GaSb衬底上生长的外延结构，依次包括GaSb下缓冲层(102)，晶格匹配的AlGaInAsSb下势垒层(103)、GaSb上缓冲层(104)、InSb量子点层(105)、GaSb保护层(106)、晶格匹配的AlGaInAsSb上势垒层(107)、GaSb盖层(108)。本发明同时公开了一种量子点结构器件的分子束外延(MBE)生长方法。利用本发明，可以实现在GaSb衬底上制备InSb量子点，应用于中红外波段的单光子发射的半导体光电器件有源区结构的设计与外延生长。

主权项

一种InSb/GaSb量子点结构器件，其特征在于，包括：GaSb衬底(100)；GaSb缓冲层，该缓冲层生长在GaSb衬底(100)上；AlGaInAsSb下势垒层，该势垒层生长在GaSb缓冲层上，AlGaInAsSb下势垒层与GaSb衬底晶格匹配；InSb量子点层，InSb量子点层生长在AlGaInAsSb下势垒层上；AlGaInAsSb上势垒层，该势垒层生长在InSb量子点层上，AlGaInAsSb上势垒层与GaSb衬底晶格匹配；GaSb盖层，该盖层生长在AlGaInAsSb上势垒层上面，用于整体结构的保护作用，得到InSb量子点材料。