[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310388631.0 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104425601B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例半导体器件可以包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，包括基底衬底、埋入电介质层和SOI层；在SOI衬底上设置的有源区，该有源区包括第一子区和第二子区，其中第一子区包括第一鳍状部，第二子区包括与第一鳍状部相对的第二鳍状部，且第一子区和第二子区中至少之一包括横向延伸部；设于第一鳍状部和第二鳍状部之间的背栅；夹于背栅与各鳍状部之间的背栅介质层；以及在有源区上形成的栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘体上半导体SOI衬底，包括基底衬底、埋入电介质层和SOI层；在SOI衬底上设置的有源区，该有源区包括第一子区和第二子区，其中第一子区包括第一鳍状部，第二子区包括与第一鳍状部相对的第二鳍状部，且第一子区和第二子区中至少之一包括横向延伸部，所述横向延伸部在相应子区的鳍状部的底部处与相应鳍状部相接；设于第一鳍状部和第二鳍状部之间从而将第一鳍状部和第二鳍状部分开的背栅，其中所述横向延伸部从相应子区的鳍状部的底部向着远离背栅的方向延伸；夹于背栅与各鳍状部之间的背栅介质层；以及在有源区上形成的栅堆叠，横向延伸部至少部分地由SOI衬底的SOI层形成，第一和第二鳍状部中每一个至少部分地由SOI层上外延生长的另外的半导体层形成，其中所述另外的半导体层包括一层或多层，在所述一层或多层另外的半导体层以及之下的SOI层中，相邻的两层具有不同的材料。
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