[发明专利]基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器有效
| 申请号： | 201310388868.9 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103414437A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;卢啸;孙岩;张勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/02;H03F1/32 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 刘双兰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器，属于电子元器件技术领域。该功率放大器包括输入偏置网络连接的输入匹配网络、输出偏置网络连接的输出匹配网络、以及晶体管；晶体管分别与输入匹配网络和输出匹配网络连接。本发明的功率放大器电路的拓扑结构基于逆F类功率放大器，通过控制其偏压变化，可使功率放大器在AB类和逆F类两种模式间切换工作；以使功率放大器同时具有AB类高线性度和逆F类高效率特性。在无线通讯系统中，据实际情况，当需要功率放大器提供较高线性度时，调节晶体管偏压使其工作在AB类工作状态；当需要功率放大器提供较高效率时，调节晶体管偏压使其工作在逆F类工作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 电子 迁移率 晶体管 ab 模式 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管的AB/逆F类多模式功率放大器，其特征在于包括输入偏置网络（28）、输出偏置网络（29）、输入匹配网络（30）和输出匹配网络（31）四大模块，以及晶体管（7）；所述输入偏置网络（28）与输入匹配网络（30）连接，输出偏置网络（29）与输出匹配网络（31）连接，所述晶体管（7）分别与输入匹配网络（30）和输出匹配网络（31）连接。
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