[发明专利]磁传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310389015.7 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104035056B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 金官洙;金东俊;柳升翰;安熙伯;郑锺烈;金庆洙;申讲燮 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/12;G01R33/07;G01R3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括：设置在衬底中的霍尔元件；设置在衬底上的保护层；设置在保护层上的籽层；以及形成在籽层上的磁集极(IMC)，籽层和IMC各自均具有不平坦表面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁传感器 籽层 保护层 衬底 不平坦表面 霍尔元件 集极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，包括：设置在衬底中的霍尔元件；设置在所述衬底上的保护层；设置在所述保护层上的籽层；以及形成在所述籽层上的磁集极，所述籽层和所述磁集极各自均具有不平坦表面，其中所述保护层包括钝化绝缘层和缓冲层，其中所述保护层还包括腐蚀阻挡层。
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