[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该方法包括：提供N型掺杂的半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面及与第一表面相对的第二表面；N型掺杂半导体衬底的靠近第一表面的区域，以形成缓冲层；P型掺杂半导体衬底的靠近第一表面的区域，以形成集电极层，其中集电极层的深度小于缓冲层的深度；提供支撑衬底，并在第一表面将支撑衬底键合至半导体衬底；从第二表面减薄半导体衬底；在第二表面制备绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除支撑衬底，以露出集电极层；以及在集电极层上制备绝缘栅双极型晶体管的集电极金属层。根据本发明的绝缘栅双极型晶体管的制备方法能与现有的常规工艺兼容，无需专用的设备，大大降低了成本。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供N型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；N型掺杂所述半导体衬底的靠近所述第一表面的区域，以形成缓冲层；P型掺杂所述半导体衬底的靠近所述第一表面的区域，以形成集电极层，其中所述集电极层的深度小于所述缓冲层的深度；提供支撑衬底，并在所述第一表面将所述支撑衬底键合至所述半导体衬底；从所述第二表面减薄所述半导体衬底；在所述第二表面制备所述绝缘栅双极型晶体管的正面结构；去除所述支撑衬底，以露出所述集电极层；以及在所述集电极层上制备所述绝缘栅双极型晶体管的集电极金属层。