[发明专利]一种制造集成有二极管的IGBT器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造集成有二极管的IGBT器件的方法，包括：步骤1，选取N型掺杂硅片或外延片；步骤2，对场截止型IGBT,先在N型掺杂硅片或者外延片正面上形成N型场截止层并推结，再通过涂胶光刻选择性注入N型杂质；步骤3，若为NPT型IGBT，则直接在N型掺杂硅片或者外延片正面选择性注入N型杂质；步骤4，在N型掺杂硅片或外延片的正面采用硅硅键合方式键合另一硅片，并将N型掺杂硅片或外延片背面减薄到器件参数需求厚度；步骤5，在N型掺杂硅片或者外延片背面制作所需的IGBT器件的正面结构;步骤6，将键合的另一硅片减薄去除，再注入P型杂质并退火,使其金属化形成金属电极。本发明可实现将二极管集成在IGBT体内,工艺步骤简单，成本低且良率好。

主权项

一种制造集成有二极管的IGBT器件的方法，其特征在于，包括：步骤1，选取N型掺杂硅片或者外延片；步骤2，若所需制造的IGBT器件为场截止型IGBT器件,则先在N型掺杂硅片或者外延片正面上形成N型场截止层并推结，再在N型掺杂硅片或者外延片正面通过涂胶光刻选择性注入N型杂质；步骤3，若所需的IGBT器件为NPT型IGBT器件，则直接在N型掺杂硅片或者外延片正面通过涂胶光刻选择性注入N型杂质；步骤4，在N型掺杂硅片或者外延片的正面采用硅硅键合方式键合另一硅片，并将N型掺杂硅片或者外延片背面减薄至IGBT器件特性所需厚度；步骤5，在N型掺杂硅片或者外延片背面制作所需的IGBT器件的正面结构;步骤6，将步骤4中采用硅硅键合方式键合的另一硅片减薄去除，再注入P型杂质并退火,使该硅片金属化形成金属电极。