[发明专利]磁存储器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310389452.9 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103682084A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林佑昶;金相溶;金晥均;朴相奂;朴正宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁存储器件，包括：在衬底上面的第一参考磁性层；在所述第一参考磁性层上面的第二参考磁性层；在所述第一参考磁性层和所述第二参考磁性层之间的自由层；在所述第一参考磁性层和所述自由层之间的第一隧道势垒层；和在所述第二参考磁性层和所述自由层之间的第二隧道势垒层，其中所述第一参考磁性层、所述第二参考磁性层和所述自由层均具有与所述衬底的顶表面基本上垂直的磁化方向；且所述第一隧道势垒层的电阻面积积值大于所述第二隧道势垒层的电阻面积积值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310389452.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：界面显示方法和装置
- 下一篇：一种管道水气分离装置
