[发明专利]过孔刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310389494.2 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456624A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李炳天;蒋冬华;傅永义;赵吾阳;李淳东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过孔刻蚀方法，涉及半导体制造领域，克服了现有技术过孔刻蚀方法过孔终点无法控制且坡度角不利的缺陷。本发明实施例的过孔刻蚀方法，包括：形成过孔刻蚀结构，过孔刻蚀结构包括依次形成在基板上的低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层；在过孔刻蚀结构上形成包括过孔掩膜图形的掩膜层；采用第一刻蚀方法刻蚀过孔刻蚀结构，刻蚀至栅极绝缘层的第一厚度处；采用第二刻蚀方法刻蚀过孔刻蚀结构，刻蚀掉剩余厚度的栅极绝缘层，露出低温多晶硅层；移除掩膜层，形成过孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种过孔刻蚀方法，其特征在于，包括：形成过孔刻蚀结构，所述过孔刻蚀结构包括依次形成在基板上的低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层；在所述过孔刻蚀结构上形成包括过孔掩膜图形的掩膜层；采用第一刻蚀方法刻蚀所述过孔刻蚀结构，刻蚀至所述栅极绝缘层的第一厚度处；采用第二刻蚀方法刻蚀所述过孔刻蚀结构，刻蚀掉剩余厚度的所述栅极绝缘层，露出所述低温多晶硅层；移除所述掩膜层，形成过孔结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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