[发明专利]自对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种自对准锗硅异质结双极型三极管器件，集电区包括位于有源区中的第一离子注入区、第二离子注入区和第三离子注入区；本征基区由形成于有源区上的锗硅外延层组成，外基区多晶硅在本征基区两侧且被氧化硅保护层包围，其位于浅槽场氧上方并与浅槽场氧接触，表面不低于有源区硅表面且低于锗硅外延层的表面，氧化硅保护层底部与浅槽场氧接触且表面高于锗硅外延层的表面；发射区由基区上部的N型发射极多晶硅组成。本发明还公开了该器件的制造方法。本发明可拉开发射极多晶硅和外基区多晶硅的间距以及选择性集电极离子注入区和外基区多晶硅的间距，降低发射极‑基极电容、基极一集电极电容和基极电阻，提高器件的特征频率及其它射频特性。

主权项

一种自对准锗硅异质结双极型三极管器件，形成于N型外延上，所述N型外延形成于N型埋层上，所述N型埋层位于P型硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，所述浅槽场氧位于N型外延中且浅槽场氧的表面低于有源区的硅表面，其特征在于，包括：集电区，包括形成于有源区中的第一离子注入区、第二离子注入区和第三离子注入区；所述第一离子注入区位于N型外延中，其底部与N型埋层相接触，形成集电极的低电阻下沉通道；所述第二离子注入区和第三离子注入区位于浅槽场氧之间的N型外延中，第二离子注入区的底部与N型埋层相接触，第三离子注入区位于第二离子注入区的上方且底部与第二离子注入区相接触；基区，包括本征基区和外基区多晶硅，所述本征基区的尺寸小于有源区的尺寸且位于有源区的中间区域的上方；所述本征基区由形成于有源区上的锗硅外延层组成，该锗硅外延层位于有源区的硅表面上并与第二离子注入区不接触；所述外基区多晶硅位于本征基区的两侧且被一个氧化硅保护层包围，其位于浅槽场氧上方并与浅槽场氧接触，该外基区多晶硅的表面不低于有源区的硅表面且低于锗硅外延层的表面；所述氧化硅保护层的底部与浅槽场氧接触，且表面高于锗硅外延层的表面；发射区，由形成于基区上部的N型发射极多晶硅组成，所述发射区与本征基区相接触且发射区位于基区的中间区域的上方。