[发明专利]Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310391310.6 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103500777A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si衬底GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供Si衬底；在Si衬底上生长反光层，反光层为多周期结构，每个周期包括TiO2层和生长在TiO2层上的SiO2层；将顶层的SiO2层中一部分厚度的SiO2碳化成SiC；在碳化后的SiO2层上依次层叠生长成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层。本发明通过生长反光层，可以将从多量子阱层射向Si衬底的光反射回去，避免了这些光被Si衬底吸收，从而在能保证发光二极管出光率的同时，不用剥离Si衬底，这一方面简化了芯片制作工艺的工序和成本，另一方面不会导致在芯片制作工艺过程中芯片碎片和漏电，便于Si衬底制作正装结构的芯片。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 gan 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种Si衬底GaN基发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供Si衬底；在所述Si衬底上生长反光层，所述反光层为多周期结构，每个周期包括TiO2层和生长在所述TiO2层上的SiO2层；将顶层的所述SiO2层中一部分厚度的SiO2碳化成SiC；在碳化后的所述SiO2层上依次层叠生长成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层。
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