[发明专利]三维可变电阻存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种3D可变电阻存储器件及其制造方法。半导体衬底包括外围区，所述外围区具有顶表面，其中，外围电路形成在外围区中。外围电路包括形成在半导体衬底的表面上的驱动晶体管，其中，半导体衬底形成驱动晶体管的沟道。半导体衬底包括单元区，所述单元区具有顶表面，其中，单元区的顶表面的高度比所述外围区的顶表面的高度低，由此在单元区中限定出沟槽。多个存储器单元，多个存储器单元的每个包括：开关晶体管，所述开关晶体管形成在单元区中半导体衬底上；沟道，所述沟道沿着与半导体衬底的表面大体垂直的方向延伸；以及可变电阻层，所述可变电阻层响应于开关晶体管而选择性地储存数据。

主权项

一种可变电阻存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：外围区，所述外围区具有顶表面，其中，外围电路形成在所述外围区中，所述外围电路包括形成在所述半导体衬底的表面上的驱动晶体管，其中，所述半导体衬底形成所述驱动晶体管的沟道，以及单元区，所述单元区具有顶表面，其中，所述单元区的顶表面的高度低于所述外围区的顶表面的高度，由此在所述单元区中限定出沟槽；以及多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个包括：开关晶体管，所述开关晶体管形成在所述单元区中的半导体衬底上，沟道，所述沟道沿着与所述半导体衬底的表面大体垂直的方向延伸，以及可变电阻层，所述可变电阻层响应于所述开关晶体管而选择性地储存数据。