[发明专利]基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元无效
| 申请号： | 201310393042.1 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103456359A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;李力南 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元，包括一个由PMOS晶体管和浮栅晶体管组成的两管串联型Nor flash单元，浮栅晶体管的漏极与PMOS晶体管的源极相连，特别地，增加一条由另一个组成结构相同的两管串联型Nor flash单元组成的支路，形成差分对称结构，两条支路的位线作为一组差分对输入到灵敏放大器中，对比读出数据。本发明采用差分结构，减小管子尺寸，表面上管子的数目增加了一倍，整体上对管子的要求降低，存储单元面积变化不会很大；制造工艺与传统制造工艺相兼容，减小了设计难度，对低容量应用，面积减小，成本降低；采用差分输入方案，不需要设置基准电压源，扩大了可区分的电流范围，工作电压，温度范围扩大，可靠性增强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 串联 晶体管 改进 架构 nor flash 存储 单元 | ||
【主权项】：
基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元，包括一个由PMOS晶体管和浮栅晶体管组成的两管串联型Nor flash单元，所述浮栅晶体管的漏极与PMOS晶体管的源极相连，其特征在于，增加一条由另一个两管串联型Nor flash单元组成的支路，形成差分对称结构，两条支路的位线作为一组差分对输入到灵敏放大器中，然后对比读出数据。
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