[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：首先，衬底上形成栅极结构；然后，刻蚀所述栅极结构两侧的衬底区域，形成凹蚀区域，并在所述凹蚀区域表面进行离子注入，以使所述凹蚀区域表面非晶化；再沉积应力层；接着进行退火，使非晶化的凹蚀区域表面再结晶以产生应力，该应力与所述应力层的应力相叠加并传递至所述沟道区域且保留在其中；最后去除所述应力层，并在所述栅极结构两侧的凹蚀区域中分别形成源极和漏极。本发明通过在沟道区域及其周围的衬底中进行离子注入得到非晶化区域，并沉积应力层，从而利用退火过程中非晶化区域再结晶产生的应力及应力层本身的应力，形成压应变或拉应变沟道，大大提高沟道区域的迁移率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底上形成栅极结构；所述栅极结构正下方的衬底中设有沟道区域；S2：刻蚀所述栅极结构两侧的衬底区域，形成凹蚀区域，并在所述凹蚀区域表面进行离子注入，以使所述凹蚀区域表面非晶化；S3：沉积应力层，所述应力层覆盖所述凹蚀区域表面及所述栅极结构表面；然后进行退火，使非晶化的凹蚀区域表面再结晶以产生第一应力，所述第一应力与所述应力层产生的的第二应力相叠加并传递至所述沟道区域且保留在所述沟道区域中；S4：去除所述应力层，并在所述栅极结构两侧的凹蚀区域中分别形成源极和漏极。