[发明专利]氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法有效
| 申请号： | 201310394029.8 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103839979B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 彦坂年辉;原田佳幸;吉田学史;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/20;H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 杨晓光,于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0<x≤1）构成的AlGaN层、第一含Si层、第一GaN层、第二含Si层和第二GaN层。所述第一含Si层与所述AlGaN层的上表面接触。所述第一含Si层包含浓度不小于7×1019/cm3且不大于4×1020/cm3的Si。所述第一GaN层在所述第一含Si层上提供。所述第一GaN层包括具有相对于所述上表面倾斜的倾斜表面的突出。所述第二含Si层在所述第一GaN层上提供。所述第二含Si层包含Si。所述第二GaN层在所述第二含Si层上提供。所述功能层在所述层叠体上提供。所述功能层包括氮化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 半导体 晶片 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体器件，包括：层叠体，包括：由AlxGa1‑xN构成的AlGaN层，其中，0<x≤1，与所述AlGaN层的上表面接触的第一含Si层，所述第一含Si层包含浓度不小于7×1019/cm3且不大于4×1020/cm3的Si，在所述第一含Si层上提供的第一GaN层，所述第一GaN层包括突出，所述突出具有相对于所述上表面倾斜的倾斜表面，在所述第一GaN层上提供的第二含Si层，所述第二含Si层包含Si，以及在所述第二含Si层上提供的第二GaN层，所述第二含Si层的凹凸的凹陷被所述第二GaN层填充；以及在所述层叠体上提供的功能层，所述功能层包括氮化物半导体。
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