[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310394830.2 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103715249A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 今西健治;山田敦史;石黑哲郎;宫岛丰生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN／GaN HEMT，其包括：电子渡越层；形成在电子渡越层上方的电子供给层；以及形成在电子供给层上方的栅电极，其中仅在电子渡越层的包含在栅电极下方区域中的位置处形成有p型半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：电子渡越层；形成在所述电子渡越层上方的电子供给层；以及形成在所述电子供给层上方的电极，其中仅在所述电子渡越层的包含在所述电极下方的区域中的位置处形成有p型半导体区域。
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