[发明专利]半导体激光二极管及其封装方法有效
| 申请号： | 201310394933.9 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104426050B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周坤;李德尧;张书明;刘建平;张立群;冯美鑫;李增成;王怀兵;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳睿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光二极管 防静电元件 半导体激光二极管芯片 管座 封装 散热元件 封帽 激光二极管 影响半导体 保护气体 电压特性 封装管座 运输过程 负极 静电 防静电 存储 释放 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管的封装方法，所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、半导体激光二极管芯片、第一接线柱和第二接线柱，其特征在于，所述半导体激光二极管还包括防静电元件，所述防静电元件为双向防静电二极管芯片，所述散热元件包括第一热沉和第二热沉，所述封装方法包括步骤：a)将所述第二热沉固定在所述管座上，将所述第一热沉固定在所述第二热沉上，将所述半导体激光二极管芯片固定在所述第一热沉上；b)将所述第一接线柱和第二接线柱由所述管座外侧穿伸到所述管座的内侧，将所述第一接线柱与所述半导体激光二极管芯片的正极耦接，并且将所述第二接线柱与所述半导体激光二极管芯片的负极耦接，将所述双向防静电二极管芯片固定在所述第二热沉上，并且将所述双向防静电二极管芯片的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱；c)在充入保护气体的同时利用封帽结合封装所述管座，以形成所述半导体激光二极管。
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