[发明专利]磁芯及其形成方法，以及包括该磁芯的集成电路、衬底、变压器和电感器有效
| 申请号： | 201310396059.2 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681633B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | M·N·莫里塞;J·库比克;S·P·吉尔里;P·M·迈克古尼斯;C·M·奥苏里万 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/522;H01L21/02;H01F17/00;H01F17/04;H01F41/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及磁芯及其形成方法，以及包括该磁芯的集成电路、衬底、变压器和电感器。提供一种用于集成电路的磁芯，所述磁芯包括多个磁性功能材料层；多个第一绝缘材料层；和至少一个第二绝缘材料层；其中将所述第一绝缘材料层插在所述磁性功能材料层之间以形成所述磁芯的子区段，并且将所述至少一个第二绝缘材料层插在相邻子区段之间。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 以及 包括 集成电路 衬底 变压器 电感器 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成的用于集成电路的磁芯，所述磁芯包括：多个磁性功能材料层；多个第一绝缘层；以及至少一个第二绝缘层；其中将所述第一绝缘层插在所述磁性功能材料层之间以形成所述磁芯的子区段，并且将所述至少一个第二绝缘层插在所述磁芯的相邻子区段之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚德诺半导体集团，未经亚德诺半导体集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310396059.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
