[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201310396504.5 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103500779A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 吉亚莉;魏世祯;陈柏松;胡加辉;谢文明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期包括InGaN量子阱层和在InGaN量子阱层上生长的量子垒层，量子垒层包括第一InGaN层以及在第一InGaN层上依次生长的AlGaN层和第二InGaN层。本发明通过上述方案，与InGaN量子阱层接触的为量子垒层中的第一InGaN层和第二InGaN层，三者材料相同，晶格失配度小，产生应力小，压电极化电场的作用弱，InGaN量子阱层和量子垒层的能带弯曲度变小，增强了对载流子的束缚能力，当注入大电流时，不会形成严重的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延片，所述外延片包括衬底以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层为多周期结构，每个周期包括InGaN量子阱层和在所述InGaN量子阱层上生长的量子垒层，其特征在于，所述量子垒层包括第一InGaN层以及在所述第一InGaN层上依次生长的AlGaN层和第二InGaN层。
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