[发明专利]一种长波铟砷锑材料及其生长方法有效
| 申请号： | 201310397546.0 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103436964A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 高玉竹 | 申请（专利权）人： | 高玉竹 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 上海市嘉定区南翔镇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种长波铟砷锑材料，所述长波铟砷锑(InAs1-xSbx)材料的组份x满足以下条件：0.60≤x≤0.90，截止波长达到11～12.5μm。外延层的厚度为40～200μm，这个厚度有效地抑制了外延层与二元化合物衬底之间晶格失配的影响，使外延层中的位错密度比用常规技术生长的降低了3个数量级(达到104cm-2量级)，明显改善了材料的晶体质量和结构完整性。本发明还同时提供了该长波铟砷锑材料的生长过程。这种材料具有体单晶的性质，并且InAsSb的室温俄歇复合系数较低，因此适合制作室温工作的红外光子探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 长波 铟砷锑 材料 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种长波铟砷锑材料，按以下化学式组成：InAs1‑xSbx，其特征在于组份x满足以下条件：0.60≤x≤0.90，外延层的厚度为40～200μm。
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