[发明专利]含多反应器的半导体处理装置及为其提供处理气体的方法

摘要

本发明涉及含多反应器的半导体处理装置及为其提供处理气体的方法。一种半导体处理装置。半导体处理装置包括气体供应系统，气体供应系统包括至少一个气体供应单元。气体供应单元包括：处理气体源；气体分配歧管，包括具有入口和多个带有阀的出口的环形气体分配导管；以及气体供应导管，将处理气体源流体连接到气体分配歧管的入口上。该装置还包括多个反应器。每个反应器都流体连接到至少一个气体供应单元的气体分配歧管的相应的带有阀的出口上，以使得来自至少一个气体供应单元的处理气体源的处理气体可经由至少一个气体供应单元的气体供应导管、气体分配歧管以及相应的带有阀的出口选择性地供应到多个反应器中的相应反应器中。

主权项

一种半导体处理装置（1），包括：气体供应系统（2），包括至少一个气体供应单元（100），所述气体供应单元（100）包括：处理气体源（110）；气体分配歧管（150），包括具有入口（154）和多个带有阀的出口（156a‑c）的环形气体分配导管（152）；以及气体供应导管（130、132），将所述处理气体源（110）流体连接到所述气体分配歧管（150）的所述入口（154）上；以及多个反应器（4a‑c），每个所述反应器都流体连接到所述至少一个气体供应单元（100）的所述气体分配歧管（150）的相应的带有阀的出口（156a‑c）上，以使得来自所述至少一个气体供应单元（100）的所述处理气体源（110）的处理气体可经由所述至少一个气体供应单元的所述气体供应导管（130、132）、所述气体分配歧管（150）以及相应的带有阀的出口（156a‑c）选择性地供应到所述多个反应器（4a‑c）中的相应反应器中。